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Cette Ecole Doctorale Franco-Allemande qui existe depuis plus de 12 ans permet aux jeunes chercheur*euses de se former dans le domaine de la physique exp茅rimentale des semiconducteurs par un doctorat binational dans deux laboratoires importants et 茅quip茅s de fa莽on compl茅mentaire (CRHEA/Universit茅 C么te d鈥橝zur et AFP/Universit盲t Bochum). Les m茅thodes modernes de fabrication (MBE, MOCVD, FIB) de semiconducteurs 脿 grand gap (GaN, ZnO, GaAs) sont employ茅es pour la fabrication et l鈥樏﹖ude de syst猫mes quantiques nanostructur茅s. Les mat茅riaux GaN sont 脿 la base des DEL bleues et blanches et commencent 脿 锚tre utilis茅s dans l鈥櫭﹍ectronique de puissance. La recherche li茅e 脿 GaN a donc un grand impact soci茅tal. Outre les aspects techniques, nos doctorant*es apprennent aussi, 脿 travers les 茅changes, comment fonctionne la recherche en France et en Allemagne, 茅largissant ainsi leurs perspectives de travail international.